How to take 3d photos on iphone 7

Can you take 3d photos on iphone 7

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 7,4 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB7N60TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 7,4 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 3,6 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

A1778 remplacement Apple iPhone 7 écran LCD 3D Touch Digitizer Assembly-Noir

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 7,3 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB7P20TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-P, 7,3 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 690 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

A1778 remplacement 4.7" Apple iPhone 7 écran numériseur verre écran LCD 3D Touch...

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 7,3 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB7P20TM

★ ★ ★ ★ ★ 9,1/10

MOSFET, Canal-P, 7,3 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 690 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

Pour iPhone 6 S A1633 A1688 A1700 écran LCD de remplacement Noir 3D Touch UK

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 7,4 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB7N60TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 7,4 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 3,6 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

Noir Remplacement écran Pour iPhone 7 A1660 A1778 A1779 LCD Full Touch Numériseu...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 7,5 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FQB8N60CTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 7,5 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 1,2 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

4.7" Apple iPhone 7 compatible écran LCD DEL 3D écran Tactile Numériseur Assembl...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

ON Semiconductor IGBT, , Canal-N, 14 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple (5), FGB7N60UNDF

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

IGBT, FGB7N60UNDF, Canal-N, 14 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Dissipation de puissance maximum : 83 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température d'utilisation maximum : +150 °C

Jakmey JM-OP10 Ecran LCD Pinces D'Ouverture Outil Tactile Pour Iphone 5 5S 6 AF

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

ON Semiconductor IGBT, , Canal-N, 14 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple (800), FGB7N60UNDF

★ ★ ★ ★ ★ 9,0/10

IGBT, FGB7N60UNDF, Canal-N, 14 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Dissipation de puissance maximum : 83 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température d'utilisation maximum : +150 °C

A1778 remplacement Apple iPhone 7 écran LCD 3D Touch Digitizer Assembly-Blanc

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

ON Semiconductor TRIAC, 600V 0.6A, Tension de déclenchement 2.5V 7mA TO-92, 3 broches (50), MAC97A8RL1G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

TRIAC, 600V 0.6A, Tension de déclenchement 2.5V 7mA TO-92, 3 broches Type de montage : Traversant Courant de surcharge : 8A Courant de maintien maximum : 10mA Dimensions : 5.2 x 4.19 x 5.33mm Longueur : 5.2mm Largeur : 4.19mm Température d'utilisation maximum : +110 °C, ON Semiconductor, MPN: MAC97A8RL1G

A1778 remplacement 4.7" Apple iPhone 7 3D écran Tactile Numériseur Verre écran L...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 130 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB075N15A

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 130 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 7,5 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

IPhone 7 appareil photo frontal et Capteur Assemblage De Câble Original APPLE fa...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

ON Semiconductor Transistor, PNP Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 (5), D45VH10G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Transistor, PNP Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 83 W Tension Emetteur Base maximum : 7 V Fréquence de fonctionnement maximum : 20 MHz Dimensions : 10.28 x 4.82 x 15.75mm Longueur : 10.28mm, ON Semiconductor, MPN: D45VH10G

Pour Apple iPhone 7 Écran Remplacement 3D Touch Digitizer LCD Assembly Black AAA...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 130 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches (2), FDB075N15A

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 130 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 7,5 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

A1660 remplacement 4.7" Apple iPhone 7 3D écran Tactile Numériseur Verre écran L...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 164 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB047N10

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 164 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 4,7 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

Pour iPhone 6 S Noir LCD écran tactile Écran remplacement Original OEM Qualité U...

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB035AN06A0

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 7 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

A1660 remplacement Apple iPhone 7 écran LCD 3D Touch Digitizer Assembly-Noir

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 (50), D44VH10G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 83 W Tension Emetteur Base maximum : 7 V Fréquence de fonctionnement maximum : 20 MHz Dimensions : 10.28 x 4.82 x 15.75mm Longueur : 10.28mm, ON Semiconductor, MPN: D44VH10G

A1779 remplacement 4.7" Apple iPhone 7 écran numériseur verre 3D LCD Tactile-Noi...

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 (5), D44VH10G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 83 W Tension Emetteur Base maximum : 7 V Fréquence de fonctionnement maximum : 20 MHz Dimensions : 10.28 x 4.82 x 15.75mm Longueur : 10.28mm, ON Semiconductor, MPN: D44VH10G

Remplacement écran Tactile LCD Numériseur Complet appareil photo blanc pour iPho...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

ON Semiconductor Transistor, PNP Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 (50), D45VH10G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Transistor, PNP Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 83 W Tension Emetteur Base maximum : 7 V Fréquence de fonctionnement maximum : 20 MHz Dimensions : 10.28 x 4.82 x 15.75mm Longueur : 10.28mm, ON Semiconductor, MPN: D45VH10G

Remplacement Apple iPhone 7 4.7" LCD 3D écran Tactile Numériseur GRADE AAA + + B...

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 164 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FDB047N10

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 164 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 4,7 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

A1779 remplacement 4.7" Apple iPhone 7 3D écran Tactile Numériseur Verre écran L...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

ON Semiconductor IGBT, , Canal-N, 15,5 A 450 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple (5), ISL9V2540S3ST

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

IGBT, ISL9V2540S3ST, Canal-N, 15,5 A 450 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±14V Dissipation de puissance maximum : 166,7 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température d'utilisation maximum : +175

Remplacement écran Tactile LCD Numériseur Complet Caméra Noir Pour iPhone 7 plus

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

ON Semiconductor IGBT, , Canal-N, 15,5 A 450 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple (800), ISL9V2540S3ST

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

IGBT, ISL9V2540S3ST, Canal-N, 15,5 A 450 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±14V Dissipation de puissance maximum : 166,7 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température d'utilisation maximum : +175

Écran Pour iPhone 7 Noir Assemblée 3D Tactile Numériseur Écran LCD Haute Qualité

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 43 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB44N10TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 43 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 39 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -25 V, +25 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

A1660 remplacement 4.7" Apple iPhone 7 écran Tactile Numériseur Verre écran LCD ...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 33 A 250 V D2PAK (TO-263), 3 broches (2), FDB33N25TM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,2/10

MOSFET, Canal-N, 33 A 250 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 94 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

Pour iPhone 7 Plus Affichage LCD Écran tactile Digitizer Assemblée Remplacement ...

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (2), FDB050AN06A0

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 11 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 245 W

Blanc Remplacement écran Pour iPhone 7 A1660 A1778 A1779 LCD Full Touch Numérise...

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 50 A 250 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FDB2710

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 50 A 250 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 42 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

Jakemy JM-OP07 Spudger Outil D'ouverture Réparation Pour Iphone Tablet Phone AF

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 80 A 30 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB8860

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 30 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 3,6 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

Pour iPhone 7 Plus Affichage LCD Écran Tactile Digitizer Assembly Replacement Bl...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 75 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FDB86135

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

MOSFET, Canal-N, 75 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 3,5 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 227

A1779 remplacement Apple iPhone 7 Screen Assembly LCD 3D Tactile Numériseur-Blan...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 52 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FDB52N20TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 52 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 49 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

iPhone 6S/6/7/Plus 8/X VITRE EN VERRE TREMPE 3D Film Protection Ecran Intégral

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 20 A 60 V DPAK (TO-252), 3 broches (10), HUFA76429D3ST-F085

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 20 A 60 V DPAK (TO-252), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 23 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 3V Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -16 V, +16 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

For iPhone 6S/6/7/Plus 8/X VITRE EN VERRE TREMPE Film Protection Ecran Intégral

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 76 A 100 V TO-220F, 3 broches (5), FDPF8D5N10C

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 76 A 100 V TO-220F, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 8,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : Traversant Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

Écran Pour iPhone 7 White Assembly 3D Tactile Numériseur Écran LCD Haute Qualité

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 52 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB52N20TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 52 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 49 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

Personnalisée Photo Téléphone Étui Housse Pour iPhone X XR iPhone 7 8 5SE Collag...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 80 A 30 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB8030L

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 30 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 4,5 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de niveau logique

Personnalisé Téléphone étui/housse pour Apple iPhone Smartphone photo/image/Desi...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,8/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 20 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches (2), FDB20N50F

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 20 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 260 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 250

Remplacement écran ASSEMBLAGE pour APPLE iPhone 7 3D Tactile Numériseur LCD – No...

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

ON Semiconductor Paire Darlington, PNP -1 A, 30 V, HFE:30000, TO-92, 3 broches Simple (100), BC516_D27Z

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Paire Darlington, PNP -1 A, 30 V, HFE:30000, TO-92, 3 broches Simple Tension Emetteur Base maximum : -10 V Type de montage : Traversant Tension Collecteur Base maximum : -40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum : -1 V Courant de coupure Collecteur maximum : -100nA Dimensions : 5.2 x 4.19 x

3D Curved Full Cover Tempered Glass Screen Protector For Apple iPhone 6 7 8 Plus

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 120 A, 265 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FDB024N06

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 120 A, 265 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 2,4 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance

3D Privacy Anti-Spy Tempered Glass Film Screen Protector For iPhone 8 6S 7 7Plus

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 22 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB22P10TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-P, 22 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 125 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

Remplacement écran ASSEMBLAGE pour APPLE iPhone 7 3D Tactile Numériseur LCD – Bl...

★ ★ ★ ★ ☆ 7,4/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (2), FDB5800

★ ★ ★ ★ ☆ 8,9/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 0,0126 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

Personnalisé Téléphone étui Housse Pour iPhone X XR 5SE Galaxy S10 S9 S10e, J6 A...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 14 A 75 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB3502

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 14 A 75 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 80 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

3D Curved Full Cover Tempered Glass Screen Protector for iPhone 6S / 7 / 8 Plus

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 52 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB50N06LTM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,5/10

MOSFET, Canal-N, 52 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 21 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

Pour iPhone 7 A1660 A1778 A1779 Noir LCD Full Touch Écran Numériseur Remplacemen...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 33 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB33N10TM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 33 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 52 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -25 V, +25 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

Personnalisé Noël ces Photo Imprimé Étuis De Téléphone Pour iPhones Samsung Goog...

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 9 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FQB9N50CTM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 9 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 800 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

3D Glitter Dynamic Liquid Quicksand Soft Case Cover For iPhone Huawei Xiaomi LG

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

ON Semiconductor Transistor numérique, NPN 1,2 A 30 V TO-92, 3 broches, Simple Simple (2000), BC517-D74Z

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

Transistor numérique, NPN 1,2 A 30 V TO-92, 3 broches, Simple Simple Type de montage : Traversant Gain en courant DC minimum : 30000 Dissipation de puissance maximum : 625 mW Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum : 1 V Tension Emetteur Base maximum : 10 V Dimensions : 5.2 x 4.19 x 5.33mm, ON

A1660 remplacement Apple iPhone 7 écran LCD 3D Touch Digitizer Assembly-Blanc

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 28 A 300 V D2PAK (TO-263), 3 broches (2), FDB28N30TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 28 A 300 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 129 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 70 A 40 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB8445

★ ★ ★ ★ ☆ 7,4/10

MOSFET, Canal-N, 70 A 40 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 6,8 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 92

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 222 A 100 V TO-220F, 3 broches (1000), FDPF2D3N10C

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

MOSFET, Canal-N, 222 A 100 V TO-220F, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 2,3 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : Traversant Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 19 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB19N20CTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 19 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 170 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 56 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), HUFA75639S3ST

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 56 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 25 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 33 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB34P10TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-P, 33 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 60 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -25 V, +25 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor Transistor numérique, PNP -1 A -30 V TO-92, 3 broches, Simple Simple, BC516-D27Z

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

Transistor numérique, PNP -1 A -30 V TO-92, 3 broches, Simple Simple Type de montage : Traversant Gain en courant DC minimum : 30000 Dissipation de puissance maximum : 625 mW Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum : -1 V Tension Emetteur Base maximum : -10 V Dimensions : 5.2 x 4.19 x 5.33mm, ON

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 18 A 60 V DPAK (TO-252), 3 broches (2500), HUFA76409D3ST

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 18 A 60 V DPAK (TO-252), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 63 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 3V Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -16 V, +16 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 22 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB22P10TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-P, 22 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 125 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor IGBT, , Canal-N, 80 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple (800), FGB40N60SM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

IGBT, FGB40N60SM, Canal-N, 80 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Dissipation de puissance maximum : 349 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température d'utilisation maximum : +175 °C

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 8 (800), FJB3307DTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 8 Type de montage : CMS Dissipation de puissance maximum : 80 W Tension Collecteur Base maximum : 700 V Tension Emetteur Base maximum : 9 V Fréquence de fonctionnement maximum : 1 MHz Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm, ON Semiconductor,

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 40, D44H8G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 40 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 2 W Tension Emetteur Base maximum : 5 V Fréquence de fonctionnement maximum : 50 MHz Dimensions : 9.28 x 10.28 x 4.82mm Hauteur : 9.28mm Longueur : 10.28mm, ON Semiconductor,

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 33 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB33N10LTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 33 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 52 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor Transistor numérique, PNP -1 A -30 V TO-92, 3 broches, Simple Simple, BC516-D27Z

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

Transistor numérique, PNP -1 A -30 V TO-92, 3 broches, Simple Simple Type de montage : Traversant Gain en courant DC minimum : 30000 Dissipation de puissance maximum : 625 mW Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum : -1 V Tension Emetteur Base maximum : -10 V Dimensions : 5.2 x 4.19 x 5.33mm, ON

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 43 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FQB44N10TM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 43 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 39 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -25 V, +25 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor IGBT, , Canal-N, 46 A 420 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple, ISL9V5036S3ST

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

IGBT, ISL9V5036S3ST, Canal-N, 46 A 420 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±14V Dissipation de puissance maximum : 250 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température d'utilisation maximum : +175 °C

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 11,5 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB12P20TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

MOSFET, Canal-P, 11,5 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 470 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor Transistor, PNP Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 15 (800), MJB42CT4G

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

Transistor, PNP Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 15 Type de montage : CMS Dissipation de puissance maximum : 65 W Tension Collecteur Base maximum : 100 V c.c. Tension Emetteur Base maximum : 5 V Fréquence de fonctionnement maximum : 1 MHz Dimensions : 10.29 x 11.05 x 4.83mm, ON

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 50 A 40 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB8447L

★ ★ ★ ★ ☆ 7,6/10

MOSFET, Canal-N, 50 A 40 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 12,4 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 3,9 A 800 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FQB4N80TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 3,9 A 800 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 3,6 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 93 A 30 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB8896

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 93 A 30 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 9,4 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1.2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 80

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 37 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches (2), FDB2552

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 37 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 97 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 222 A 100 V TO-220F, 3 broches (2), FDPF2D3N10C

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 222 A 100 V TO-220F, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 2,3 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : Traversant Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 50 A 250 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB2710

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 50 A 250 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 42 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 116 A 40 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), NTB5405NT4G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 116 A 40 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 8 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 3.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 116 A 40 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), NTB5405NT4G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, Canal-N, 116 A 40 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 8 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 3.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 11,5 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB12P20TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-P, 11,5 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 470 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor Transistor, PNP Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 40 (50), D45H8G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

Transistor, PNP Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 40 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 2 W Tension Emetteur Base maximum : 5 V Fréquence de fonctionnement maximum : 40 MHz Dimensions : 9.28 x 10.28 x 4.82mm Hauteur : 9.28mm Longueur : 10.28mm, ON Semiconductor,

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 20 (10), FJB5555TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 20 Type de montage : CMS Dissipation de puissance maximum : 100 W Tension Collecteur Base maximum : 1 050 V Tension Emetteur Base maximum : 14 V Fréquence de fonctionnement maximum : 1 MHz Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm, ON

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 100 A 75 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), SMP3003-DL-1E

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-P, 100 A 75 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 0,011 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 2.6V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 20 A 55 V DPAK (TO-252), 3 broches (2500), HUF75329D3ST

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

MOSFET, Canal-N, 20 A 55 V DPAK (TO-252), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 26 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 19 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB19N20CTM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 19 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 170 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor Transistor, PNP Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 40, D45H8G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

Transistor, PNP Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 40 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 2 W Tension Emetteur Base maximum : 5 V Fréquence de fonctionnement maximum : 40 MHz Dimensions : 9.28 x 10.28 x 4.82mm Hauteur : 9.28mm Longueur : 10.28mm, ON Semiconductor,

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 21 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB19N20LTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 21 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 140 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 11,4 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB11P06TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-P, 11,4 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 175 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -25 V, +25 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 55 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB55N10TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 55 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 26 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -25 V, +25 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor IGBT, , Canal-N, 80 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple (2), FGB40N60SM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

IGBT, FGB40N60SM, Canal-N, 80 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Dissipation de puissance maximum : 349 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température d'utilisation maximum : +175 °C

ON Semiconductor Transistor, PNP Simple, 10 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 40, D45H11G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

Transistor, PNP Simple, 10 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 40 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 2 W Tension Emetteur Base maximum : 5 V Fréquence de fonctionnement maximum : 40 MHz Dimensions : 9.28 x 10.28 x 4.82mm Hauteur : 9.28mm Longueur : 10.28mm, ON Semiconductor,

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 40 (50), D44H11G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 40 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 2 W Tension Emetteur Base maximum : 5 V Fréquence de fonctionnement maximum : 50 MHz Dimensions : 9.28 x 10.28 x 4.82mm Hauteur : 9.28mm Longueur : 10.28mm, ON Semiconductor,

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 76 A 100 V TO-220F, 3 broches (1000), FDPF8D5N10C

★ ★ ★ ★ ☆ 7,5/10

MOSFET, Canal-N, 76 A 100 V TO-220F, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 8,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : Traversant Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 8 (10), FJB3307DTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 8 Type de montage : CMS Dissipation de puissance maximum : 80 W Tension Collecteur Base maximum : 700 V Tension Emetteur Base maximum : 9 V Fréquence de fonctionnement maximum : 1 MHz Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm, ON Semiconductor,

ON Semiconductor Transistor et transistor numérique TO-92, 3 broches, Simple Simple (25), J176-D74Z

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

Transistor et transistor numérique TO-92, 3 broches, Simple Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 350 mW Dimensions : 5.2 x 4.19 x 5.33mm Longueur : 5.2mm Température d'utilisation maximum : +150 °C Température de fonctionnement minimum : -55

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 21 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB19N20LTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 21 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 140 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 11 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FCB11N60TM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 11 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 380 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 125

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 32 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB30N06LTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 32 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 35 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 79 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FDB2532

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 79 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 48 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 5 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB5N50CTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, Canal-N, 5 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 1,4 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 33 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB33N10LTM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

MOSFET, Canal-N, 33 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 52 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 1,5 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB1P50TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-P, 1,5 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 10,5 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor Transistor numérique TO-92, 3 broches, BS170-D75Z

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Transistor numérique TO-92, 3 broches Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 350 mW Dimensions : 5.2 x 4.19 x 5.33 Hauteur : 5.33mm Longueur : 5.2mm Température d'utilisation maximum : +150 °C Température de fonctionnement minimum : -55 °C Largeur :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 120 A, 193 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB029N06

★ ★ ★ ★ ★ 9,2/10

MOSFET, Canal-N, 120 A, 193 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 3,1 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 120 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (2), FDB035N10A

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 120 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 3,5 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 333

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB070AN06A0

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 15 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB050AN06A0

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 11 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 245 W

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FDB035AN06A0

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 0,007 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 20 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FCB20N60TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 20 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 190 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 92 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches (2), FDB110N15A

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 92 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 11 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 234 W

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 120 A 75 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB088N08

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 120 A 75 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 8,8 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 60 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), NTB60N06T4G

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

MOSFET, Canal-N, 60 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 14 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 15 (5), NJVMJB41CT4G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 15 Type de montage : CMS Dissipation de puissance maximum : 65 W Tension Collecteur Base maximum : 100 V c.c. Tension Emetteur Base maximum : 5 V Fréquence de fonctionnement maximum : 1 MHz Dimensions : 10.29 x 11.05 x 4.83mm, ON