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ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 7,3 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB7P20TM

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MOSFET, Canal-P, 7,3 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 690 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 7,5 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FQB8N60CTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 7,5 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 1,2 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 7,4 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB7N60TM

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MOSFET, Canal-N, 7,4 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 3,6 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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ON Semiconductor IGBT, , Canal-N, 14 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple (800), FGB7N60UNDF

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IGBT, FGB7N60UNDF, Canal-N, 14 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Dissipation de puissance maximum : 83 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température d'utilisation maximum : +150 °C

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ON Semiconductor IGBT, , Canal-N, 14 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple (5), FGB7N60UNDF

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IGBT, FGB7N60UNDF, Canal-N, 14 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Dissipation de puissance maximum : 83 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température d'utilisation maximum : +150 °C

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ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 7,3 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB7P20TM

★ ★ ★ ★ ★ 9,1/10

MOSFET, Canal-P, 7,3 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 690 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 7,4 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB7N60TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 7,4 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 3,6 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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ON Semiconductor Diode TVS, , Unidirectionnel 11.3V DO-15, 600W, 2 broches (25), P6KE7V5A

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Diode TVS, P6KE7V5A, Unidirectionnel 11.3V DO-15, 600W, 2 broches Configuration de diode : Simple Tension de claquage : 7.13V Type de montage : Traversant Tension inverse maximum à l'état bloqué : 6.4V Courant d'impulsion crête maximum : 53.1A Température d'utilisation maximum : +175 °C Diamètre : 3.6mm

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ON Semiconductor Diode TVS, , Unidirectionnel 11.3V DO-15, 600W, 2 broches (4000), P6KE7V5A

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Diode TVS, P6KE7V5A, Unidirectionnel 11.3V DO-15, 600W, 2 broches Configuration de diode : Simple Tension de claquage : 7.13V Type de montage : Traversant Tension inverse maximum à l'état bloqué : 6.4V Courant d'impulsion crête maximum : 53.1A Température d'utilisation maximum : +175 °C Diamètre : 3.6mm

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ON Semiconductor TRIAC, 600V 0.6A, Tension de déclenchement 2.5V 7mA TO-92, 3 broches (50), MAC97A8RL1G

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TRIAC, 600V 0.6A, Tension de déclenchement 2.5V 7mA TO-92, 3 broches Type de montage : Traversant Courant de surcharge : 8A Courant de maintien maximum : 10mA Dimensions : 5.2 x 4.19 x 5.33mm Longueur : 5.2mm Largeur : 4.19mm Température d'utilisation maximum : +110 °C, ON Semiconductor, MPN: MAC97A8RL1G

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ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 130 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB075N15A

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 130 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 7,5 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

ON Semiconductor Transistor, PNP Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 (50), D45VH10G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Transistor, PNP Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 83 W Tension Emetteur Base maximum : 7 V Fréquence de fonctionnement maximum : 20 MHz Dimensions : 10.28 x 4.82 x 15.75mm Longueur : 10.28mm, ON Semiconductor, MPN: D45VH10G

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ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB035AN06A0

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 7 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 (50), D44VH10G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 83 W Tension Emetteur Base maximum : 7 V Fréquence de fonctionnement maximum : 20 MHz Dimensions : 10.28 x 4.82 x 15.75mm Longueur : 10.28mm, ON Semiconductor, MPN: D44VH10G

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★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

ON Semiconductor IGBT, , Canal-N, 15,5 A 450 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple (800), ISL9V2540S3ST

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IGBT, ISL9V2540S3ST, Canal-N, 15,5 A 450 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±14V Dissipation de puissance maximum : 166,7 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température d'utilisation maximum : +175

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★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

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ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 164 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB047N10

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 164 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 4,7 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

ON Semiconductor IGBT, , Canal-N, 15,5 A 450 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple (5), ISL9V2540S3ST

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

IGBT, ISL9V2540S3ST, Canal-N, 15,5 A 450 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±14V Dissipation de puissance maximum : 166,7 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température d'utilisation maximum : +175

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★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

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ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 164 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FDB047N10

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 164 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 4,7 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 130 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches (2), FDB075N15A

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 130 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 7,5 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 (5), D44VH10G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 83 W Tension Emetteur Base maximum : 7 V Fréquence de fonctionnement maximum : 20 MHz Dimensions : 10.28 x 4.82 x 15.75mm Longueur : 10.28mm, ON Semiconductor, MPN: D44VH10G

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Société britannique 14 yeartrading Histoire, origine Apple LCD

ON Semiconductor Transistor, PNP Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 (5), D45VH10G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Transistor, PNP Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 20 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 83 W Tension Emetteur Base maximum : 7 V Fréquence de fonctionnement maximum : 20 MHz Dimensions : 10.28 x 4.82 x 15.75mm Longueur : 10.28mm, ON Semiconductor, MPN: D45VH10G

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★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

ON Semiconductor IGBT, , Canal-N, 80 A 1200 V D2PAK (TO-263) 1MHz, 3 broches Simple (2), HGT1S10N120BNST

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

IGBT, HGT1S10N120BNST, Canal-N, 80 A 1200 V D2PAK (TO-263) 1MHz, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Dissipation de puissance maximum : 298 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 11.33mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 11.33 x 4.83mm Température d'utilisation maximum :

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★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 120 A, 265 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FDB024N06

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 120 A, 265 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 2,4 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance

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★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

ON Semiconductor Paire Darlington, PNP -1 A, 30 V, HFE:30000, TO-92, 3 broches Simple (100), BC516_D27Z

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Paire Darlington, PNP -1 A, 30 V, HFE:30000, TO-92, 3 broches Simple Tension Emetteur Base maximum : -10 V Type de montage : Traversant Tension Collecteur Base maximum : -40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum : -1 V Courant de coupure Collecteur maximum : -100nA Dimensions : 5.2 x 4.19 x

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★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 15 (10), MJB41CG

★ ★ ★ ★ ☆ 7,4/10

Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 15 Type de montage : CMS Dissipation de puissance maximum : 65 W Tension Collecteur Base maximum : 100 V c.c. Tension Emetteur Base maximum : 5 V Fréquence de fonctionnement maximum : 1 MHz Dimensions : 10.29 x 9.65 x 4.83mm, ON

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★ ★ ★ ★ ☆ 7,6/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 22 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB22P10TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-P, 22 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 125 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 43 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB44N10TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 43 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 39 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -25 V, +25 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 5 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB5N50CTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, Canal-N, 5 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 1,4 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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★ ★ ★ ★ ☆ 8,8/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 33 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB33N10LTM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

MOSFET, Canal-N, 33 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 52 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 9 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB9N50CTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 9 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 800 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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★ ★ ★ ★ ☆ 7,5/10

Société britannique 14 yeartrading Histoire, origine Apple OLED

ON Semiconductor IGBT, , Canal-N, 51 A 505 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple (2), ISL9V5045S3ST

★ ★ ★ ★ ☆ 7,6/10

IGBT, ISL9V5045S3ST, Canal-N, 51 A 505 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±14V Dissipation de puissance maximum : 300 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température d'utilisation maximum : +175 °C

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★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 70 A 40 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB8445

★ ★ ★ ★ ☆ 7,4/10

MOSFET, Canal-N, 70 A 40 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 6,8 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 92

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★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 14 A 75 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB3502

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 14 A 75 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 80 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 20 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FCB20N60TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 20 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 190 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

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★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB050AN06A0

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 11 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 245 W

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 20 A 55 V DPAK (TO-252), 3 broches (10), HUF75329D3ST

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

MOSFET, Canal-N, 20 A 55 V DPAK (TO-252), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 26 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 45 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), NTB45N06LT4G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 45 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 28 MΩ Tension de seuil maximale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -15 V, +15 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 120 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (2), FDB035N10A

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 120 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 3,5 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 333

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 9 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FQB9N50CTM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 9 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 800 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 52 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB50N06LTM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,5/10

MOSFET, Canal-N, 52 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 21 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 33 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB34P10TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-P, 33 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 60 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -25 V, +25 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor IGBT, , Canal-N, 21 A 300 V DPAK (TO-252) 1MHz, 3 broches Simple (2500), ISL9V3040D3ST

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

IGBT, ISL9V3040D3ST, Canal-N, 21 A 300 V DPAK (TO-252) 1MHz, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±10V Dissipation de puissance maximum : 150 W Type de montage : CMS Longueur : 6.73mm Largeur : 6.22mm Hauteur : 2.39mm Dimensions : 6.73 x 6.22 x 2.39mm Température d'utilisation maximum : +175 °C,

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 40, D44H8G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 40 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 2 W Tension Emetteur Base maximum : 5 V Fréquence de fonctionnement maximum : 50 MHz Dimensions : 9.28 x 10.28 x 4.82mm Hauteur : 9.28mm Longueur : 10.28mm, ON Semiconductor,

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 20 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB20N50F

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 20 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 260 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 250

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 40, D44H11G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, gain de 40 Type de montage : Traversant Dissipation de puissance maximum : 2 W Tension Emetteur Base maximum : 5 V Fréquence de fonctionnement maximum : 50 MHz Dimensions : 9.28 x 10.28 x 4.82mm Hauteur : 9.28mm Longueur : 10.28mm, ON Semiconductor,

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 56 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), HUFA75639S3ST

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 56 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 25 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 15 (800), NJVMJB41CT4G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,8/10

Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 15 Type de montage : CMS Dissipation de puissance maximum : 65 W Tension Collecteur Base maximum : 100 V c.c. Tension Emetteur Base maximum : 5 V Fréquence de fonctionnement maximum : 1 MHz Dimensions : 10.29 x 11.05 x 4.83mm, ON

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 120 A 75 V D2PAK (TO-263), 3 broches (2), FDB088N08

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

MOSFET, Canal-N, 120 A 75 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 8,8 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 1,5 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB1P50TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-P, 1,5 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 10,5 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 55 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB55N10TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 55 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 26 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -25 V, +25 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 93 A 30 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FDB8896

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

MOSFET, Canal-N, 93 A 30 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 9,4 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1.2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 80

ON Semiconductor IGBT, , Canal-N, 51 A 505 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple (800), ISL9V5045S3ST

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

IGBT, ISL9V5045S3ST, Canal-N, 51 A 505 V D2PAK (TO-263), 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±14V Dissipation de puissance maximum : 300 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température d'utilisation maximum : +175 °C

ON Semiconductor Transistor numérique, PNP -1 A -30 V TO-92, 3 broches, Simple Simple, BC516-D27Z

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

Transistor numérique, PNP -1 A -30 V TO-92, 3 broches, Simple Simple Type de montage : Traversant Gain en courant DC minimum : 30000 Dissipation de puissance maximum : 625 mW Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum : -1 V Tension Emetteur Base maximum : -10 V Dimensions : 5.2 x 4.19 x 5.33mm, ON

ON Semiconductor Transistor numérique, NPN 1,2 A 30 V TO-92, 3 broches, Simple Simple, BC517-D74Z

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

Transistor numérique, NPN 1,2 A 30 V TO-92, 3 broches, Simple Simple Type de montage : Traversant Gain en courant DC minimum : 30000 Dissipation de puissance maximum : 625 mW Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum : 1 V Tension Emetteur Base maximum : 10 V Dimensions : 5.2 x 4.19 x 5.33mm, ON

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 11,5 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB12N50TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 11,5 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 650 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 11 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FCB11N60TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,8/10

MOSFET, Canal-N, 11 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 380 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 27 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), NTB25P06T4G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-P, 27 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 82 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 21 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB19N20LTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 21 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 140 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor Transistor, PNP Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 15 (5), MJB42CT4G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

Transistor, PNP Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 15 Type de montage : CMS Dissipation de puissance maximum : 65 W Tension Collecteur Base maximum : 100 V c.c. Tension Emetteur Base maximum : 5 V Fréquence de fonctionnement maximum : 1 MHz Dimensions : 10.29 x 11.05 x 4.83mm, ON

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 62 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB2614

★ ★ ★ ★ ☆ 7,5/10

MOSFET, Canal-N, 62 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 27 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 62 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FDB2614

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 62 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 27 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 120 A 75 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB088N08

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 120 A 75 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 8,8 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 5,8 A 800 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB6N80TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 5,8 A 800 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 1,95 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 92 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches (2), FDB110N15A

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 92 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 11 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 234 W

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 5 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB5N50CTM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 5 A 500 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 1,4 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 44 A 250 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB44N25TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 44 A 250 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 69 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation de puissance maximum : 307 W Dimensions :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 11,4 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (10), FQB11P06TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-P, 11,4 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 175 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -25 V, +25 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 33 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FQB34P10TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-P, 33 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 60 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -25 V, +25 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 15 (5), NJVMJB41CT4G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 15 Type de montage : CMS Dissipation de puissance maximum : 65 W Tension Collecteur Base maximum : 100 V c.c. Tension Emetteur Base maximum : 5 V Fréquence de fonctionnement maximum : 1 MHz Dimensions : 10.29 x 11.05 x 4.83mm, ON

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 60 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), NTB60N06T4G

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

MOSFET, Canal-N, 60 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 14 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 18 A 60 V DPAK (TO-252), 3 broches (25), HUFA76409D3ST

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 18 A 60 V DPAK (TO-252), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 63 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 3V Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -16 V, +16 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 11 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FCB11N60TM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 11 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 380 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 125

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 18,5 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (10), NTB5605PT4G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-P, 18,5 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 140 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 29 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches (2), FDB2572

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 29 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 0,146 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 45 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (10), NTB45N06LT4G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 45 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 28 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -15 V, +15 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor Transistor numérique, NPN 1 A 100 V TO-92, 3 broches, Simple Simple (3000), BC63916-D74Z

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Transistor numérique, NPN 1 A 100 V TO-92, 3 broches, Simple Simple Type de montage : Traversant Gain en courant DC minimum : 25 Dissipation de puissance maximum : 830 mW Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum : 0,5 V Dimensions : 5.2 x 4.19 x 5.33mm, ON Semiconductor, MPN: BC63916-D74Z

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 20 (800), FJB5555TM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 20 Type de montage : CMS Dissipation de puissance maximum : 100 W Tension Collecteur Base maximum : 1 050 V Tension Emetteur Base maximum : 14 V Fréquence de fonctionnement maximum : 1 MHz Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm, ON

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 29 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB2572

★ ★ ★ ★ ☆ 8,8/10

MOSFET, Canal-N, 29 A 150 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 146 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 5,8 A 800 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB6N80TM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

MOSFET, Canal-N, 5,8 A 800 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 1,95 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 120 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB035N10A

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 120 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 3,5 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 333

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 50 A 40 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FDB8447L

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, Canal-N, 50 A 40 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 0,0124 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 31 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FQB34N20LTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 31 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 75 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 128 A 100 V TO-220F, 3 broches (2), FDPF4D5N10C

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 128 A 100 V TO-220F, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 4,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : Traversant Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 14 A 75 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FDB3502

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 14 A 75 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 0,08 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 60 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), NTB60N06T4G

★ ★ ★ ★ ★ 9,2/10

MOSFET, Canal-N, 60 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 14 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 80 A 30 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FDB8832

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 30 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 3 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 40 (800), NJVMJB44H11T4G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 40 Type de montage : CMS Dissipation de puissance maximum : 50 W Tension Collecteur Base maximum : 10 V c.c. Tension Emetteur Base maximum : 5 V Fréquence de fonctionnement maximum : 20 MHz Dimensions : 10.29 x 11.05 x 4.83mm, ON

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FDB035AN06A0

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 0,007 Ω Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 20 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FCB20N60TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 20 A 600 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 190 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 22 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB22P10TM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-P, 22 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 125 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 8 (800), FJB3307DTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, gain de 8 Type de montage : CMS Dissipation de puissance maximum : 80 W Tension Collecteur Base maximum : 700 V Tension Emetteur Base maximum : 9 V Fréquence de fonctionnement maximum : 1 MHz Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm, ON Semiconductor,

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 75 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches (800), FDB86135

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

MOSFET, Canal-N, 75 A 100 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 3,5 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 227

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 50 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches, FQB50N06TM

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 50 A 60 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 22 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -25 V, +25 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 31 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches (5), FQB34N20LTM

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 31 A 200 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 75 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance